Пример регистрации амплитуд отражений 2-х поляризаций от ионосферы за 1.0с
Общий вид амплитуд отраженных сигналов обыкновенной и необыкновенной волн
Поведение электронной концентрации D-области ионосферы в спокойных (2 апреля) и в возмущенных (5 апреля) условиях
Структурные изменения в нижней ионосфере во время рентгеновских вспышек Солнца
Электронная концентрация в зависимости от времени и высоты, потоки рентгеновского излучения и протонов высоких энергий во время мощных возмущений на Солнце
Скорость ионизации до и во время максимума вспышки
Профили плотности положительных ионов и кластеров во время солнечных вспышек
Высотные профили эффективного коэффициента рекомбинации в спокойных условиях (штриховая кривая) и во время максимума солнечных вспышек (сплошная кривая)
Пример регистрации амплитуд отражений 2-х поляризаций от ионосферы за 1.0с
Общий вид амплитуд отраженных сигналов обыкновенной и необыкновенной волн
Поведение электронной концентрации D-области ионосферы в спокойных (2 апреля) и в возмущенных (5 апреля) условиях
Структурные изменения в нижней ионосфере во время рентгеновских вспышек Солнца
Электронная концентрация в зависимости от времени и высоты, потоки рентгеновского излучения и протонов высоких энергий во время мощных возмущений на Солнце
Скорость ионизации до и во время максимума вспышки
Профили плотности положительных ионов и кластеров во время солнечных вспышек
Высотные профили эффективного коэффициента рекомбинации в спокойных условиях (штриховая кривая) и во время максимума солнечных вспышек (сплошная кривая)